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IC
SOT-323
WNM2021-3/TR
场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-323
交期
现货
批次
26+
WNM2021-3/TR参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 254,349 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF |
| 类型 | N沟道 |
WNM2021-3/TR概述
场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道
WNM2021-3/TR 采购核对
询价 WNM2021-3/TR 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-323）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。