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IC
SOT-23
WNM2016A-3/TR
绝缘栅场效应管（MOSFET）
Brand
WILLSEMI
Package
SOT-23
交期
现货
Date Code
26+
WNM2016A-3/TRParameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 输入电容(Ciss) | 247pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:4.7A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 270,516 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | WNM2016A-3/TR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4e-05 |
WNM2016A-3/TR概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）
WNM2016A-3/TR特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-23
WNM2016A-3/TR应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A-3/TR Procurement核对
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