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TL072IDR
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IC

SOIC-8

TL072IDR

FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz

品牌

TI

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

26+

TL072IDR参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
批次26+
放大器数双路
输入偏置电流(Ib)65pA
共模抑制比(CMRR)70dB
静态电流(Iq)1.4mA
工作温度-40℃~+85℃
输入电压噪声密度(eN)18nV/√Hz@1kHz
功能特性短路保护; 内置补偿; 闩锁效应抑制
商品型号TL072IDR
单位个
商品重量0.0002306
分类FET输入运放
库存12,938
MOQ / SPQ1 / 1
增益带宽积(GBW)3MHz
输入失调电压(Vos)3mV
压摆率(SR)13V/us
输入失调电压温漂(Vos TC)18uV/℃
双电源电压(Vee~Vcc)-18V~18V
输入失调电流(Ios)5pA
商品名称低噪声JFET输入运算放大器
包装方式编带
商品类型FET输入运放

TL072IDR概述

FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz

TL072IDR特性

  • 低功耗
  • 宽共模和差模电压范围
  • 低输入偏置电流和失调电流
  • 输出短路保护
  • 低总谐波失真:典型值为0.003%
  • 低噪声:在f = 1 kHz时, 典型值Vn = 18 nV/√Hz
  • 高输入阻抗:JFET输入级
  • 内部频率补偿
  • 无闭锁操作
  • 快速压摆率:典型值为13 V/μs
  • 共模输入电压范围包含VCC+

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