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TL062IDR
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IC

SOIC-8

TL062IDR

FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz

Brand

TI

Package

SOIC-8

交期

现货

Date Code

25+

TL062IDRParameters

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
批次25+
放大器数双路
输入偏置电流(Ib)30pA
共模抑制比(CMRR)86dB
静态电流(Iq)250uA
工作温度-40℃~+85℃
输入电压噪声密度(eN)30nV/√Hz@1kHz
功能特性内置补偿; 输出短路保护; 闩锁效应抑制; EMI滤波/RF抑制
商品型号TL062IDR
单位个
商品重量0.000173
分类FET输入运放
库存11,141
MOQ / SPQ1 / 1
增益带宽积(GBW)1MHz
输入失调电压(Vos)3mV
压摆率(SR)3.5V/us
输入失调电压温漂(Vos TC)10uV/℃
双电源电压(Vee~Vcc)-15V~15V
输入失调电流(Ios)100uA
商品名称TL06xx 低功耗JFET输入运算放大器
包装方式编带
商品类型FET输入运放

TL062IDR概述

FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz

TL062IDR特性

  • 极低功耗 典型电源电流:200 μA(每个放大器)
  • 宽共模和差模电压范围
  • 低输入偏置和失调电流
  • 共模输入电压范围包含Vcc+
  • 输出短路保护
  • 高输入阻抗:JFET输入级
  • 内部频率补偿
  • 无闭锁工作
  • 高转换速率:典型值为3.5 V/μs

TL062IDR应用领域

  • 平板电脑
  • 白色家电
  • 个人电子产品
  • 计算机

商务邮箱 / Email

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