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IC
TO-247
STW4N150
场效应管(MOSFET) 160W 1.5kV 4A 1个N沟道
品牌
ST
封装
TO-247
交期
现货
批次
24+
STW4N150参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF |
| 类型 | N沟道 |
STW4N150概述
场效应管(MOSFET) 160W 1.5kV 4A 1个N沟道
STW4N150 采购核对
询价 STW4N150 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（TO-247）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。