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SOT-23F

SSM3J332R,LF(T

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

TOSHIBA

封装

SOT-23F

交期

现货

批次

26+

SSM3J332R,LF(T参数

封装SOT-23F
品牌TOSHIBA(东芝)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.2V
输入电容(Ciss)560pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)80pF
分类场效应管(MOSFET)
库存4
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1W
栅极电荷量(Qg)8.2nC@4.5V
反向传输电容(Crss)65pF
类型P沟道

SSM3J332R,LF(T概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

SSM3J332R,LF(T 采购核对

询价 SSM3J332R,LF(T 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(SOT-23F)与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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