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IC
SOT-23
MMBT6427-7-F
达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
品牌
DIODES
封装
SOT-23
交期
现货
批次
23+
MMBT6427-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 23+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA |
| 直流电流增益(hFE) | 20000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@50mA, 0.5mA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.75V |
MMBT6427-7-F概述
达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
MMBT6427-7-F 采购核对
询价 MMBT6427-7-F 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。