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SOT-23-3

MMBFJ110

结型场效应管(JFET) 460mW 4V@10nA 25V N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23-3

交期

现货

批次

25+

MMBFJ110参数

封装SOT-23-3
品牌ON(安森美)
批次25+
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)25V
导通电阻(RDS(on))18Ω
工作温度-55℃~+150℃
FET类型N沟道
商品型号MMBFJ110
单位个
商品重量3.9e-05
分类结型场效应管(JFET)
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
栅源截止电压(VGS(off))4V
耗散功率(Pd)460mW
漏源电流(Idss)10mA
配置独立式
商品名称4V@10nA
包装方式编带
商品类型结型场效应管(JFET)

MMBFJ110概述

结型场效应管(JFET) 460mW 4V@10nA 25V N沟道

MMBFJ110 采购核对

询价 MMBFJ110 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(SOT-23-3)与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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