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IC
SOIC-8-150mil
M93C46-WMN6TP
EEPROM -40℃~+85℃ 1Kbit Microwire 2.5V~5.5V
品牌
ST
封装
SOIC-8-150mil
交期
现货
批次
26+
M93C46-WMN6TP参数
| 封装 | SOIC-8-150mil |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 2MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 内置写使能锁存器(WEL)； 噪声抑制功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 待机电流 | 3uA |
| 商品型号 | M93C46-WMN6TP |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000235 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 14,992 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 1Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
| 工作电流 | 2mA |
| 商品名称 | MICROWIRE串行访问EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
M93C46-WMN6TP概述
EEPROM -40℃~+85℃ 1Kbit Microwire 2.5V~5.5V
M93C46-WMN6TP特性
- 采用行业标准MICROWIRE总线
- 单电源电压：M93Cx6-W为2.5 V至5.5 V， M93Cx6-R为1.8 V至5.5 V
- 双组织模式：支持按字（x16）或字节（x8）配置
- 编程指令支持字节、字或整个存储器操作
- 带自动擦除的自定时编程周期， 时长5 ms
- 编程期间提供READY/BUSY信号
- 时钟速率可达2 MHz
- 支持顺序读取操作
- 增强的ESD/闩锁性能
- 写入周期超过400万次
- 数据保留期超过200年
- 封装类型及规格：PDIP8（BN）、SO8（MN， 宽度150 mil）、TSSOP8（DW， 宽度169 mil）、UFDFPN8（MC， 尺寸2×3 mm）
- 封装合规性：SO8、TSSOP8、UFDFPN8封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK®）
- PDIP8封装符合RoHS标准（ECOPACK1®）
M93C46-WMN6TP 采购核对
询价 M93C46-WMN6TP 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOIC-8-150mil）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。