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IC
SOIC-8
M24C64-RMN6TP
EEPROM -40℃~+85℃ 64Kbit I2C 1.8V~5.5V
品牌
ST
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
26+
M24C64-RMN6TP参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 内置错误纠正码(ECC)功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 待机电流 | 3uA |
| 商品型号 | M24C64-RMN6TP |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000235 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 50,955 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
| 工作电流 | 2.5mA |
| 商品名称 | 64 Kbit串行I2C总线EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
M24C64-RMN6TP概述
EEPROM -40℃~+85℃ 64Kbit I2C 1.8V~5.5V
M24C64-RMN6TP特性
- 兼容所有I²C总线模式：1 MHz、400 kHz、100 kHz
- 存储阵列：64 Kbit（8 Kbyte）EEPROM， 页大小32字节
- M24C64-D型号提供额外的可写锁定页
- 单电源电压：-40℃至+85℃范围内为1.7 V至5.5 V
- 0℃至+85℃范围内为1.6 V至5.5 V
- 写入特性：字节写入时间≤5 ms， 页写入时间≤5 ms
- 支持随机和顺序读取模式
- 支持整个存储阵列的写保护
- 具备ESD/Latch-Up保护
- 写入周期超过400万次
- 数据保留时间超过200年
M24C64-RMN6TP 采购核对
询价 M24C64-RMN6TP 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOIC-8）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。