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IC
SOIC-8
M24C04-RMN6TP
EEPROM -40℃~+85℃ 4Kbit I2C 1.8V~5.5V
品牌
ST
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
两年内
M24C04-RMN6TP参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 400kHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 待机电流 | 1uA |
| 商品名称 | 4K位串行I²C总线EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 55,250 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 4Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
| 工作电流 | 0.8mA |
| 读取访问时间(tA) | 900ns |
| 商品型号 | M24C04-RMN6TP |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000194 |
M24C04-RMN6TP概述
EEPROM -40℃~+85℃ 4Kbit I2C 1.8V~5.5V
M24C04-RMN6TP特性
- 兼容I²C总线模式：400kHz、100kHz
- 存储阵列：4 Kbit（512字节）EEPROM
- 页大小：16字节
- 单电源电压变体：M24C04-W（2.5V至5.5V）、M24C04-R（1.8V至5.5V）、M24C04-F（全温度范围1.7V至5.5V
- 有限温度范围1.6V至1.7V）
- 写入操作：字节写入时间不超过5ms， 页写入时间不超过5ms
- 工作温度范围：-40℃至+85℃
- 随机和顺序读取模式
- 整个存储阵列的写保护功能
- 增强型ESD/闩锁保护
- 超过400万次写入周期
- 超过200年数据保留期
- 符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
- 封装选项：TSSOP8（DW， 宽度169 mil）、SO8（MN， 宽度150 mil）、PDIP8（BN）、UFDFPN8（MC）、DFN8（2×3 mm）、UFDFPN5（MH）、DFN5（1.7×1.4 mm）
M24C04-RMN6TP 采购核对
询价 M24C04-RMN6TP 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOIC-8）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。