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SOIC-8

M24C02-WMN6TP

EEPROM -40℃~+85℃ 2Kbit I2C 2.5V~5.5V

品牌

ST

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

26+

M24C02-WMN6TP参数

封装SOIC-8
品牌ST(意法半导体)
批次26+
接口类型I2C
时钟频率(fc)400kHz
数据保留 - TDR(年)200年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能
工作温度-40℃~+85℃
待机电流3uA
商品名称1Kbit和2Kbit串行I²C总线EEPROM
包装方式编带
商品类型EEPROM
分类EEPROM
库存128,241
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量2Kbit
写周期时间(Tw)5ms
写周期寿命400万次
工作电压2.5V~5.5V
工作电流1mA
读取访问时间(tA)900ns
商品型号M24C02-WMN6TP
单位个
商品重量0.000109732

M24C02-WMN6TP概述

EEPROM -40℃~+85℃ 2Kbit I2C 2.5V~5.5V

M24C02-WMN6TP特性

  • 兼容所有I²C总线模式(400kHz和100kHz)
  • 内存阵列包含1Kbit(128字节)EEPROM和2Kbit(256字节)EEPROM
  • 页大小为16字节
  • 单电源电压:M24C01/02-W为2.5V至5.5V, M24C01/02-R为1.8V至5.5V, M24C02-F在全温度范围为1.7V至5.5V, 在有限温度范围为1.6V至1.7V
  • 字节写入和页写入时间均在5ms内
  • 工作温度范围为-40℃至+85℃
  • 支持随机和顺序读取模式
  • 具备整个内存阵列的写保护功能
  • 增强的ESD/闩锁保护
  • 写循环次数超过400万次
  • 数据保留时间超过200年
  • 封装符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK®)

M24C02-WMN6TP 采购核对

询价 M24C02-WMN6TP 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(SOIC-8)与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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