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VSON-10-EP(3x3)

LM5108DRCR

半桥-栅极驱动器-IC-CMOS-TTL-10-VSON(3x3)

品牌

TI

封装

VSON-10-EP(3x3)

交期

现货

批次

25+

LM5108DRCR参数

封装VSON-10-EP(3x3)
品牌TI(德州仪器)
批次25+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)1.6A
上升时间(tr)11ns
传播延迟 tpLH20ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)290uA
分类栅极驱动芯片
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)2.6A
工作电压5.5V~16V
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpHL20ns
工作温度-40℃~+125℃
功能特性使能关断; 内置自举二极管; 交错导通保护; 死区时间控制

LM5108DRCR概述

半桥-栅极驱动器-IC-CMOS-TTL-10-VSON(3x3)

LM5108DRCR 采购核对

询价 LM5108DRCR 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(VSON-10-EP(3x3))与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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