LM293DT
自营可供
IC
SO-8
LM293DT
比较器 开漏； 开集 5mV 1V~18V； 2V~36V 250nA
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
两年内
LM293DT参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 20nA |
| 输出模式 | TTL； MOS； DTL； CMOS； ECL |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 单电源 | 2V~36V |
| 输入失调电流(Ios) | 3nA |
| 商品名称 | 低功耗双电压比较器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 191,663 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV |
| 传播延迟(tpd) | 1.3us |
| 静态电流(Iq) | 450uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V； -18V~-1V |
| 响应时间(tr) | 1.3us |
| 商品型号 | LM293DT |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0003328 |
LM293DT概述
比较器 开漏； 开集 5mV 1V~18V； 2V~36V 250nA
LM293DT特性
- 宽单电源电压范围或双电源：2 V至36 V或±1 V至±18 V
- 极低的电源电流（0.45 mA）， 与电源电压无关（5 V时每个比较器功耗为1 mW）
- 低输入偏置电流：典型值20 nA
- 低输入失调电流：典型值±3 nA
- 低输入失调电压：典型值±1 mV
- 输入共模电压范围包含地电位
- 低输出饱和电压：典型值80 mV（灌电流I = 4 mA）
- 差分输入电压范围等于电源电压
- 输出与TTL、DTL、ECL、MOS、CMOS兼容
- 提供DFN8 2x2、MiniSO8、TSSOP8和SO8封装