LM293DR
自营可供
IC
SOIC-8
LM293DR
比较器 开集； 开漏 5mV 1V~18V； 2V~36V 250nA
品牌
TI
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
26+
LM293DR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 100nA |
| 输出类型 | 开集 |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V； -18V~-1V |
| 响应时间(tr) | 1.3us |
| 商品型号 | LM293DR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000173 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 39,055 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 传播延迟(tpd) | 1.3us |
| 输出模式 | TTL |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
| 单电源 | 2V~36V |
| 输入失调电流(Ios) | 5nA |
| 商品名称 | 双路差分比较器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
LM293DR概述
比较器 开集； 开漏 5mV 1V~18V； 2V~36V 250nA
LM293DR特性
- 最大额定电压高达38V
- ESD等级HBM可达2kV， 通过专用ESD钳位提升输入耐用性
- 输入失调电压低， 低至0.37mV
- 输入偏置电流低， 低至3.5nA
- 电源电流低， 每个比较器仅200μA
- 响应时间短， 可达1μs
- 部分型号采用2×2mm微型WSON封装
- B版本可直接取代LM293、LM393和LM2903的A和V版本
- 共模输入电压范围包含接地
- 差分输入电压范围等于最大额定电源电压， 可达±38V
- 输出饱和电压低
- 输出与TTL、MOS和CMOS兼容
LM293DR应用领域
- 扫地机器人
- 单相UPS
- 服务器PSU
- 无绳电动工具
- 无线基础设施
- 电器
- 楼宇自动化
- 工厂自动化与控制
- 电机驱动器
- 信息娱乐系统与仪表组