LM239DR
自营可供
IC
SOIC-14
LM239DR
比较器 开集 5mV 2V~30V； 1V~15V 250nA
品牌
TI
封装
SOIC-14
交期
现货
批次
26+
LM239DR参数
| 封装 | SOIC-14 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 比较器数 | 四路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 25nA |
| 输出类型 | 开集 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
| 单电源 | 2V~36V |
| 输入失调电流(Ios) | 5nA |
| 商品名称 | 四路差分比较器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 17,205 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 传播延迟(tpd) | 1.3us |
| 输出模式 | TTL； CMOS |
| 静态电流(Iq) | 800uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V； -18V~-1V |
| 响应时间(tr) | 1.3us |
| 商品型号 | LM239DR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000237 |
LM239DR概述
比较器 开集 5mV 2V~30V； 1V~15V 250nA
LM239DR特性
- 宽电源电压范围 单电源：2 V至36 V（非V后缀器件测试至30 V， V后缀器件测试至32 V） 双电源：±1 V至±18 V（非V后缀器件测试至±15 V， V后缀器件测试至±16 V）
- 低输入偏置电流：25 nA（典型值）
- 低输入失调电流：3 nA（典型值）（LM139）
- 低输入失调电压：2 mV（典型值）
- 共模输入电压范围包含地
- 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36 V
- 低输出饱和电压
- 输出与TTL、MOS和CMOS兼容