LM211DT
自营可供
IC
SO-8
LM211DT
比较器 开射； 开集 3mV 5V~30V； 2.5V~15V 100nA
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
两年内
LM211DT参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 100nA |
| 输出模式 | CMOS； TTL |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 单电源 | 5V~30V |
| 输入失调电流(Ios) | 4nA |
| 商品名称 | 带频闪器的电压比较器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 32,100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV |
| 传播延迟(tpd) | 200ns |
| 静态电流(Iq) | 6mA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 30V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -15V~15V |
| 响应时间(tr) | 200ns |
| 商品型号 | LM211DT |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000235 |
LM211DT概述
比较器 开射； 开集 3mV 5V~30V； 2.5V~15V 100nA
LM211DT特性
- 最大输入电流：150nA
- 最大失调电流：20nA
- 差分输入电压范围：±30V
- 功耗：±15V时为135mW
- 电源电压：+5V至±15V
- 输出电流：50mA