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IC
SC-70
L2N7002SWT1G
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
品牌
LRC
封装
SC-70
交期
现货
批次
26+
L2N7002SWT1G参数
| 封装 | SC-70 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 35pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1,378,260 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 420mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 440pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
L2N7002SWT1G概述
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
L2N7002SWT1G 采购核对
询价 L2N7002SWT1G 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SC-70）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。