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IC
SOT-23(SOT-23-3)
L2N7002KLT1G
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
Brand
LRC
Package
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
Date Code
26+
L2N7002KLT1GParameters
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 34pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2,203,506 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 710pC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | L2N7002KLT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
L2N7002KLT1G概述
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
L2N7002KLT1G特性
- 静电放电保护
- 低导通电阻RDS(on)
- 表面贴装封装
- 这是一款无铅器件
- 我们声明该产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
L2N7002KLT1G应用领域
- 低端负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用, 如数码单反相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。
L2N7002KLT1G Procurement核对
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