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IC
TO-92-3L
J113
结型场效应管(JFET) J113
品牌
ON
封装
TO-92-3L
交期
现货
批次
25+
J113参数
| 封装 | TO-92-3L |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 35V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω |
| FET类型 | N沟道 |
| 分类 | 结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV； 3V |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
J113概述
结型场效应管(JFET) J113
J113 采购核对
询价 J113 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（TO-92-3L）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。