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IC
TO-247-3-41
IMW65R039M1HXKSA1
碳化硅场效应管(MOSFET) IMW65R039M1HXKSA1
品牌
Infineon
封装
TO-247-3-41
交期
现货
批次
24+
IMW65R039M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3-41 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 输入电容(Ciss) | 1.393nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
IMW65R039M1HXKSA1概述
碳化硅场效应管(MOSFET) IMW65R039M1HXKSA1
IMW65R039M1HXKSA1 采购核对
询价 IMW65R039M1HXKSA1 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（TO-247-3-41）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。