H5TC4G63EFR-RDA
自营可供
IC
FBGA-96
H5TC4G63EFR-RDA
是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM， 非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。 提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性， 无需任何更改。 提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存， 数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行8位预取， 以实现非常高的带宽。
品牌
HYNIX
封装
FBGA-96
交期
现货
批次
20+
H5TC4G63EFR-RDA参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| 批次 | 20+ |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR3L |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 工作电流 | 38mA |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 15 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 800MHz |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 刷新电流 | 12mA |
H5TC4G63EFR-RDA概述
是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM， 非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。 提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性， 无需任何更改。 提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存， 数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行8位预取， 以实现非常高的带宽。