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IC
SOT-23
FDV301N
场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
FDV301N参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 338,448 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | FDV301N |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.4e-05 |
FDV301N概述
场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道
FDV301N特性
- 0.22 A, 25 V。 在VGS = 4.5V时, RDS(ON) = 4Ω
- 在VGS = 2.7V时, RDS(ON) = 5Ω
- 栅极驱动要求极低, 可在3V电路中直接工作。 VGS(th) < 1.5V
- 栅-源极齐纳二极管, 具备出色的ESD耐受性。 人体模型静电放电抗扰度 > 6 kV
- 可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管
- 简化封装外形(SOT
- 23)
FDV301N应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
FDV301N 采购核对
询价 FDV301N 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。