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IC
X2-DFN0806-3
DMN2550UFA-7B
场效应管(MOSFET) 360mW 20V 600mA 1个N沟道
品牌
DIODES
封装
X2-DFN0806-3
交期
现货
批次
22+
DMN2550UFA-7B参数
| 封装 | X2-DFN0806-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 22+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 52.5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF |
DMN2550UFA-7B概述
场效应管(MOSFET) 360mW 20V 600mA 1个N沟道
DMN2550UFA-7B 采购核对
询价 DMN2550UFA-7B 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（X2-DFN0806-3）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。