自营在列库存
IC
SOT-23
BSS84LT1G
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
BSS84LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 36pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 286,250 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | BSS84LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
BSS84LT1G概述
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道
BSS84LT1G特性
- SOT-23表面贴装封装节省电路板空间
- AEC Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- BVSS84L
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准
BSS84LT1G 采购核对
询价 BSS84LT1G 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。