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IC
SOT-23(SOT-23-3)
BSS84
场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道
品牌
CJ
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
26+
BSS84参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 30pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 580,203 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | BSS84 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
BSS84概述
场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道
BSS84特性
- 漏源电压(VDS):-50V
- 漏极电流(ID):-0.13A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -10V 时):< 5 毫欧
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -4.5V 时):< 6 毫欧
BSS84应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
BSS84 采购核对
询价 BSS84 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23(SOT-23-3)）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。