Stock与价格 最近更新:2026年11月15日 14:35(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
Available在列Stock
IC

SOT-23

BSS138LT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道

Brand

ON

Package

SOT-23

交期

现货

Date Code

两年内

BSS138LT1GParameters

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.6Ω@2.75V
阈值电压(Vgs(th))500mV
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号BSS138LT1G
单位个
商品重量2.9333e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存264,732
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)50V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)12pF
商品名称1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

BSS138LT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道

BSS138LT1G特性

  • 低阈值电压(VGS(th):0.5 V
  • 1.5 V), 非常适合低压应用
  • 微型SOT
  • 23表面贴装封装, 节省电路板空间
  • 采用BVSS前缀, 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
  • 符合AEC
  • Q101标准, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准

BSS138LT1G应用领域

  • 直流
  • 直流转换器
  • 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)的电源管理

BSS138LT1G Procurement核对

询价 BSS138LT1G 时,请提供完整制造商Part Number、ProcurementQuantity、可接受Date Code和收货地区。下单前请根据制造商资料核对Package(SOT-23)与电气要求。在列Stock、价格和交期均需最终确认。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件