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IC
SOT-23
BSS123LT1G
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
25+
BSS123LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | BSS123LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 267,753 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 输入电容(Ciss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
BSS123LT1G概述
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
BSS123LT1G特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
BSS123LT1G应用领域
- 开关应用
BSS123LT1G 采购核对
询价 BSS123LT1G 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。