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IC

SOT-223

BSP52T3G

达林顿管 800mW 80V 2000@10V, 500mA NPN

品牌

ON

封装

SOT-223

交期

现货

批次

24+

BSP52T3G参数

封装SOT-223
品牌ON(安森美)
批次24+
类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集电极截止电流(Icbo)10uA
直流电流增益(hFE)2000
分类达林顿管
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)800mW
集射极饱和电压(VCE(sat))1.3V
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)

BSP52T3G概述

达林顿管 800mW 80V 2000@10V, 500mA NPN

BSP52T3G 采购核对

询价 BSP52T3G 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(SOT-223)与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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