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IC

SOT-223

BSP52T1G

达林顿管 800mW 80V 2000@10V, 500mA NPN

品牌

ON

封装

SOT-223

交期

现货

批次

两年内

BSP52T1G参数

封装SOT-223
品牌ON(安森美)
批次两年内
类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集电极截止电流(Icbo)10uA
直流电流增益(hFE)2000
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))1.9V
商品名称NPN 80V 1A
包装方式编带
商品类型达林顿管
分类达林顿管
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)800mW
集射极饱和电压(VCE(sat))1.3V
射基极击穿电压(Vebo)5V
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)
商品型号BSP52T1G
单位个
商品重量0.00013

BSP52T1G概述

达林顿管 800mW 80V 2000@10V, 500mA NPN

BSP52T1G特性

  • SOT
  • 223封装可采用波峰焊或回流焊。 成型引脚可在焊接过程中吸收热应力, 消除芯片受损的可能性。
  • 提供12 mm卷带包装。
  • PNP互补型号为BSP62T1。
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂, 符合RoHS标准。
  • 以S为前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用
  • 符合AEC
  • Q101标准, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件。

BSP52T1G应用领域

  • 开关应用, 如打印头、继电器、螺线管和灯驱动器

BSP52T1G 采购核对

询价 BSP52T1G 时,请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装(SOT-223)与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。

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