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IC
SOT-23
AO3415A
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道
品牌
AOS
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
AO3415A参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V； 36mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 750pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
| 商品型号 | AO3415A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 618,490 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | P通道, 电流:-4.9A, 耐压:-20V |
| 封装 | SOT-23-3L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.6e-05 |
AO3415A概述
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道
AO3415A特性
- 20V, RDS(ON) = 30 m Ω(典型值)@ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 36 m Ω(典型值)@ VGS = -2.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
AO3415A应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换
AO3415A 采购核对
询价 AO3415A 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。