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IC
SOT-23
AO3400A
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道
品牌
UMW
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
AO3400A参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 630pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 670,557 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | AO3400A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
AO3400A概述
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道
AO3400A特性
- 30V, RDS(ON) = 21 m Ω(典型值), VGS = 10 V
- RDS(ON) = 25 m Ω(典型值), VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
AO3400A应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
AO3400A 采购核对
询价 AO3400A 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。