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IC
SOT-23
2N7002P,215
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
2N7002P,215参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 367,602 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 2N7002P, 215 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.4e-05 |
2N7002P,215概述
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道
2N7002P,215特性
- 通过AEC-Q101认证
- 沟槽MOSFET技术
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
2N7002P,215应用领域
- 高速线路驱动器
- 继电器驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
2N7002P,215 采购核对
询价 2N7002P,215 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（SOT-23）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。