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IC
TO-247-3
GC3M0015065D
GC3M0015065D is a SUPSiC Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) in TO-247-3 package.
Brand
SUPSiC
Package
TO-247-3
Lead Time
In stock
Date Code
25+
GC3M0015065D Parameters
| Package | TO-247-3 |
|---|---|
| Brand | SUPSiC |
| Date Code | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@15V |
| Part Number | GC3M0015065D |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.008166667 |
| Category | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 12 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 416W |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 289pF |
| Product Name | 碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式 |
| Packaging | Tube |
| Product Type | Silicon CarbideMOSFETs(MOSFET) |
GC3M0015065D Overview
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 太阳能光伏逆变器
GC3M0015065D Features
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容下的高速开关
- 具有低反向恢复电荷的快速本征二极管
- 无卤素， 符合RoHS标准
GC3M0015065D Applications
- 电动汽车充电
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- 开关模式电源
- 直流/直流转换器
GC3M0015065D Procurement Checklist
For a GC3M0015065D quotation, provide the full manufacturer part number, required quantity, acceptable date code and delivery destination. Confirm the package (TO-247-3) and electrical requirements against the manufacturer documentation before ordering. Listed stock, prices and lead time require final confirmation.