Self-operatedListed stock
IC
SOIC-8
FM25V02A-GTR
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) SPI 40 MHz 8-SOIC
Brand
Infineon
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
26+
FM25V02A-GTR Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | Infineon |
| Date Code | 26+ |
| 接口类型 | SPI |
| 工作电压 | 2V~3.6V |
| 时钟频率(fc) | 40MHz |
| 睡眠模式电流(Izz) | 8uA |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
| Part Number | FM25V02A-GTR |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00031236 |
| Category | FerroelectricMemory(FRAM) |
|---|---|
| Stock | 4,487 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 256Kbit |
| 工作电流 | 2.5mA |
| 待机电流 | 150uA |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 |
| Product Name | 256-Kbit 串行 F-RAM |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | FerroelectricMemory(FRAM) |
FM25V02A-GTR Overview
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) SPI 40 MHz 8-SOIC
FM25V02A-GTR Features
- 高耐久性， 100万亿（10的14次方）次读写
- 151年数据保持能力
- 无延迟写入
- 高可靠性铁电工艺
- 高速SPI接口， 频率可达40MHz
- 可直接硬件替换串行闪存和EEPROM
- 支持SPI模式0和模式3
- 多级写保护：WP引脚硬件保护、写禁止指令软件保护、1/4或1/2或整个阵列软件块保护
- 设备ID：制造商ID和产品ID
- 低功耗：40MHz时工作电流2.5mA
- 待机电流150μA
- 睡眠模式电流8μA
- 低电压工作：VDD=2.0V至3.6V
- 工业温度：-40℃至+85℃
FM25V02A-GTR Applications
- 需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用
- 数据记录
- 工业控制
- 作为串行EEPROM或串行闪存的硬件直接替换
FM25V02A-GTR Procurement Checklist
For a FM25V02A-GTR quotation, provide the full manufacturer part number, required quantity, acceptable date code and delivery destination. Confirm the package (SOIC-8) and electrical requirements against the manufacturer documentation before ordering. Listed stock, prices and lead time require final confirmation.