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AT25SF128A-SHB-T
Self-operatedAvailable
IC

SOIC-8

AT25SF128A-SHB-T

IC: FLASH memory; 128MbFLASH; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8

Brand

RENESAS

Package

SOIC-8

Lead Time

In stock

Date Code

Within 2 years

AT25SF128A-SHB-T Parameters

PackageSOIC-8
BrandRENESAS
Date CodeWithin 2 years
接口类型SPI
时钟频率(fc)133MHz
待机电流13uA
页写入时间(Tpp)6ms
Operating Temperature-40℃~+85℃
Product Name支持双I/O和四I/O的128 Mbit串行NOR闪存
PackageSOP-8-208mil
Unitpcs
Product Weight0.000339125
CategoryNOR FLASH
Stock22,291
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量128Mbit
工作电压2.7V~3.6V
擦写寿命100000次
块擦除时间(tBE)250ms@(64KB)
功能特性硬件写保护; 绝对写保护; 写使能锁存; 软件写保护; 上电复位
Part NumberAT25SF128A-SHB-T
PackagingTape & Reel
Product TypeNOR FLASH

AT25SF128A-SHB-T Overview

IC: FLASH memory; 128MbFLASH; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8

AT25SF128A-SHB-T Features

  • 单电压操作, 范围为 2.7V 至 3.6V
  • 128 Mbit (32 x 4 Mbit 物理块) NOR 闪存
  • 串行外设接口 (SPI) 兼容支持:
  • 支持 SPI 模式 0 和 3
  • 支持双输出和四输出读取
  • 最大工作频率:
  • 85℃ 时最大工作频率为 133 MHz
  • 105℃ 时最大工作频率为 120 MHz
  • 读取操作:
  • 70 MHz 正常读取
  • 120 MHz 快速读取
  • 133 MHz 四输出快速读取
  • 双 I/O 数据传输速率高达 240 Mbps
  • 四 I/O 数据传输速率高达 480 Mbps
  • 四输出数据传输速率高达 532 Mbps
  • 8/16/32/64 字节环绕连续读取
  • 灵活、优化的擦除架构, 包括擦除暂停和恢复
  • 灵活编程:
  • 字节/页编程 (1 至 256 字节)
  • 编程暂停和恢复
  • 快速编程和擦除时间:
  • 典型页 (256 字节) 编程时间为 0.6 ms
  • 典型 4-kbyte 块擦除时间为 70 ms
  • 典型 32-kbyte 块擦除时间为 150 ms
  • 典型 64-kbyte 块擦除时间为 250 ms
  • 全芯片擦除:典型时间为 30 s
  • 硬件和软件写保护:
  • 通过 WP 引脚对受保护扇区进行硬件控制锁定
  • 三个 256 字节的一次性可编程 (OTP) 安全寄存器
  • 通过软件选择顶部/底部块对全部或部分内存进行写保护
  • 串行闪存可发现参数 (SFDP) 寄存器
  • 低功耗:
  • 85℃ 时待机电流为 13 μA
  • 105℃ 时待机电流为 20 μA
  • 85℃ 时深度掉电电流为 2 μA
  • 105℃ 时深度掉电电流为 5 μA
  • 耐久性:
  • 85℃ 时 100K 编程/擦除周期
  • 105℃ 时 10K 编程/擦除周期
  • 数据保留:
  • 85℃ 时 100K 编程/擦除周期
  • 105℃ 时 10K 编程/擦除周期
  • 温度范围:
  • 工业级:-40℃ 至 85℃
  • 扩展温度范围:-40℃ 至 105℃
  • 行业标准绿色 (无铅/无卤化物/符合 RoHS) 封装选项:
  • 8 引脚 0.208" 宽 SOIC (SS4)
  • 8 焊盘 (5 x 6 x 0.6 mm) UDFN (8MA1)

Business Email

sales@womaielec.com

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